Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

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HomeLista de ProductosAccesorios de módulos inteligentes industrialesEspecificaciones del módulo de memoria DDR3 UDIMM

Especificaciones del módulo de memoria DDR3 UDIMM

Tipo de Pago:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Cantidad de pedido mínima:
1 Piece/Pieces
transporte:
Ocean,Air,Express,Land
  • Descripción
Overview
Atributos del producto

ModeloNSO4GU3AB

Capacidad de suministro e información a...

transporteOcean,Air,Express,Land

Tipo de PagoL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Embalaje y entrega
Unidades de venta:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 pines DDR3 UDIMM


Revisión histórica

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Tabla de información de pedido

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Descripción
Hengstar DIMM DDR3 SDRAM sin topar (los módulos de memoria de DRAM síncronos DRAM síncronos no topados son los módulos de memoria duales en línea) son módulos de memoria de operación de alta velocidad que usan dispositivos SDRAM DDR3. NS04GU3AB es un producto DIMM sin topar sin toparse de 512M x 64 bits, dos 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDIMM, basado en dieciséis componentes FBGA de 256m x 8 bits. El SPD está programado para la sincronización JEDEC Standard Latency DDR3-1600 de 11-11-11 a 1.5V. Cada DIMM de 240 pin utiliza dedos de contacto de oro. El DIMM sin topar con SDRAM está destinado a su uso como memoria principal cuando se instala en sistemas como PC y estaciones de trabajo.


Características
 Suministro de potencia: VDD = 1.5V (1.425V a 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V a 1.575V)
800MHz FCK para 1600MB/seg/pin
8 Banco interno independiente
 Latencia de CAS Programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Latencia aditiva programable: 0, CL - 2, o Cl - 1 reloj
8 bits prefetch
 Longitud: 8 (Interlove sin límite, secuencial con la dirección inicial "000" solamente), 4 con TCCD = 4 que no permite leer o escribir sin costuras [ya sea en la marcha usando A12 o MRS]
 Estrobe estroboscópico de datos diferenciales bíblicos
 Calibración interna (propia); Calibración interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
 en terminación de diedio con PIN ODT
 Período de actualización promedio 7.8US a más bajo que Tcase 85 ° C, 3.9US a 85 ° C <tcase <95 ° C
 Restablecimiento masino
 Resistencia a la unidad de salida de datos ajustable
Topology
PCB: altura 1.18 "(30 mm)
Mehs compatible y sin halógeno


Parámetros de sincronización clave

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Tabla de direcciones

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Descripciones de alfileres

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Notas : La tabla de descripción del PIN a continuación es una lista completa de todos los pines posibles para todos los módulos DDR3. Todos los pines enumerados pueden no ser compatible con este módulo. Consulte las asignaciones de PIN para obtener información específica de este módulo.


Diagrama de bloques funcional

4GB, módulo 512MX64 (2Rank de x8)

1


2


Nota:
1. La bola ZQ en cada componente DDR3 está conectada a una resistencia externa de 240Ω ± 1% que está atada a tierra. Se utiliza para la calibración del controlador de terminación y salida del componente.



Dimensiones del módulo


Vista frontal

3

Vista frontal

4

Notas:
1. Todas las dimensiones están en milímetros (pulgadas); Máx/min o típico (típico) donde se indica.
2. Tolerancia en todas las dimensiones ± 0.15 mm a menos que se especifique lo contrario.
3. El diagrama dimensional es solo de referencia.

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