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Especificaciones del módulo de memoria DDR4 UDIMM

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Modelo: NS08GU4E8

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Unidades de venta:: Piece/Pieces

8GB 2666MHz 288 pin DDR4 UDIMM

Revisión histórica

Revision No.	History	Draft Date	Remark
1.0	Initial Release	Apr. 2022

Tabla de información de pedido

Model	Density	Speed	Organization	Component Composition
NS08GU4E8	8GB	2666MHz	1Gx64bit	DDR4 1Gx8 *8

Descripción
DIMM DDR4 SDRAM sin topar con Hengstar (Dimms de datos de datos dobles sin toparse DRAM síncronos Drual Módulos de memoria en línea) son módulos de memoria de operación de alta velocidad y de alta velocidad que usan dispositivos SDRAM DDR4. NS08GU4E8 es un producto DIMM sin topar sin topar a 1G x 64 bits, un rango de 8GB DDR4-2666 CL19 1.2V, basado en ocho componentes FBGA de 1 g x 8 bits. El SPD está programado para la Latencia estándar JEDEC DDR4-2666 Tiempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pin utiliza dedos de contacto de oro. El DIMM sin topar con SDRAM está destinado a su uso como memoria principal cuando se instala en sistemas como PC y estaciones de trabajo.

Características
 Suministro de potencia: VDD = 1.2V (1.14V a 1.26V)
VDDQ = 1.2V (1.14V a 1.26V)
VPP - 2.5V (2.375V a 2.75V)
Vddspd = 2.25V a 3.6V
 Terminación en el hecho nominal y dinámica (ODT) para señales de datos, estroboscópicas y máscaras
LOW-POWER AUTO AFELT (LPASR)
 Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
 en la generación y calibración de vrefdq
 en el tablero I2C Presencia en serie Detect (SPD) EEPROM
16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
 Chop de ráfaga fijada (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
 Selectable BC4 o BL8 On-the-Fly (OTF)
 DATABUS Escribir cheque de redundancia cíclica (CRC)
 Actualización controlada por la temperatura (TCR)
 Paridad de comando/dirección (CA)
 Se admite la capacidad de direccionamiento de DRAM
8 bits prefetch
Topology
 Latencia de comando/dirección (Cal)
 Comando de control terminado y bus de direcciones
PCB: altura 1.23 "(31.25 mm)
 Contactos de Gold Edge
Mehs compatible y sin halógeno

Parámetros de sincronización clave

MT/s	tCK (ns)	CAS Latency (tCK)	tRCD (ns)	tRP (ns)	tRAS (ns)	tRC (ns)	CL-tRCD-tRP
DDR4-2666	0.75	19	14.25	14.25	32	46.25	19-19-19

Tabla de direcciones

Configuration	Number of bank groups	Bank Group Address	Bank Address	Row Address	Column Address	Page size
8GB(1Rx8)	4	BG0-BG1	BA0-BA1	A0-A15	A0-A9	1 KB

Diagrama de bloques funcional

8GB, módulo 1GX64 (1Rank de x8)

Nota:

1. A los demás, de otro tipo anotado, los valores de resistencia son 15Ω ± 5%.

2. Las resistencias de ZQ son 240Ω ± 1%. Para todos los demás valores de resistencia, consulte el diagrama de cableado apropiado.

3.Event_N está conectado en este diseño. También se puede usar un SPD independiente. No se requieren cambios de cableado.

Índices absolutos máximos

Calificaciones de DC máximas absolutas

Symbol	Parameter	Rating	Units	NOTE
VDD	Voltage on VDD pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VDDQ	Voltage on VDDQ pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VPP	Voltage on VPP pin relative to VSS	-0.3 ~ 3.0	V	4
VIN, VOUT	Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3,5
TSTG	Storage Temperature	-55 to +100	°C	1,2

Nota:

1. Las estrías mayores que las enumeradas en "calificaciones máximas absolutas" pueden causar daños permanentes al dispositivo.

Esta es solo una calificación de estrés y la operación funcional del dispositivo en estas o cualquier otra condición por encima de las indicadas en las secciones operativas de esta especificación no está implícita. La exposición a condiciones de calificación máxima absoluta para períodos prolongados puede afectar la confiabilidad.

2. La temperatura del almacenamiento es la temperatura de la superficie del caso en el lado central/superior de la DRAM. Para las condiciones de medición, consulte el estándar JESD51-2.

3.VDD y VDDQ deben estar dentro de los 300 mV el uno del otro en todo momento; y VREFCA no debe ser mayor de 0.6 x VDDQ, cuando VDD y VDDQ son inferiores a 500 mV; VREFCA puede ser igual o menos de 300mV.

4.VPP debe ser igual o mayor que VDD/VDDQ en todo momento.

5. El área de Overshoot por encima de 1.5V se especifica en la operación del dispositivo DDR4 .

Rango de temperatura de funcionamiento del componente DRAM

Symbol	Parameter	Rating	Units	Notes
TOPER	Normal Operating Temperature Range	0 to 85	°C	1,2
TOPER	Extended Temperature Range	85 to 95	°C	1,3

Notas:

1. La temperatura de operación es la temperatura de la superficie del caso en el lado central / superior de la DRAM. Para las condiciones de medición, consulte el documento JEDEC JESD51-2.

2. El rango de temperatura normal especifica las temperaturas donde se apoyarán todas las especificaciones DRAM. Durante la operación, la temperatura del caso DRAM debe mantenerse entre 0 y 85 ° C en todas las condiciones de funcionamiento.

3. Algunas aplicaciones requieren el funcionamiento de la DRAM en el rango de temperatura extendido entre 85 ° C y 95 ° C de la temperatura del caso. Las especificaciones completas están garantizadas en este rango, pero se aplican las siguientes condiciones adicionales:

a). Los comandos de actualización deben duplicarse en frecuencia, lo que reduce el Trefi de intervalo de actualización a 3.9 µs. También es posible especificar un componente con 1X actualización (TREFI a 7.8 µs) en el rango de temperatura extendida. Consulte el DIMM SPD para la disponibilidad de opciones.

b). Si se requiere una operación de autorrefresh en el rango de temperatura extendida, entonces es obligatorio usar el modo manual de autoinfresión con capacidad de rango de temperatura extendida (MR2 A6 = 0b y MR2 A7 = 1B) o habilitar la autorrefresh automática opcional Modo (MR2 A6 = 1B y MR2 A7 = 0b).

Condiciones de funcionamiento de AC y DC

Condiciones de funcionamiento de DC recomendadas

Symbol	Parameter	Rating			Unit	NOTE
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	NOTE
VDD	Supply Voltage	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VDDQ	Supply Voltage for Output	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VPP	Supply Voltage for DRAM Activating	2.375	2.5	2.75	V	3